三星貼片電容的材料特性和結構，貼片電容的結構大同小異，表現(xiàn)不同點是在容值和功率上，下面世祥電子為你講解三星貼片電容的結構和特性。

1：三星貼片電容結構：從下圖可以看出，貼片電容主要由陶瓷介質，內電極，端電極Sn焊接層，端電極Ni阻擋層，端電極底層組成。

2：三星貼片電容材料特性：

Ⅰ類介質電容器(NP0 溫度補償型)：

COG電氣性能參數(shù)穩(wěn)定,隨溫度,電壓,時間的變化率很小,適合使用在對穩(wěn)定性要求較高的高頻電路中，如諧振電路。采用特殊結構設計可以獲得較低的ESR.其高”Q”值產(chǎn)品的Q值可以達到1000以上.

C0G—使用溫度范圍在-55~+125℃，容量變化范圍為0±30ppm/℃.

1類瓷的EIA標志代碼(-55℃～125℃)

Ⅱ類介質電容器：

X7R(X5R):電氣性能參數(shù)較穩(wěn)定,隨溫度的變化其性能變化不很顯著。X7R屬高K值電介質,可生產(chǎn)較高容量的電容器.適用于隔直,耦合,旁路的電路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:電氣性能參數(shù)的穩(wěn)定性較差,但可生產(chǎn)出更高容量的電容器。適用于去偶電路和濾波電路。